隔列轉移型面陣 CCD的結構如圖12 - 10(a)所示。它的像敏單元(圖中虛線方塊)呈二維排列。每列像敏單元被壯光的讀出寄存器及溝阻 隔開，像敏單元與讀出寄存器之間又有轉移控制柵。由圖可見 ，每一像敏單元對應于兩個不光的讀出寄存器單元(圖中斜線表示被遮蔽 ，斜線部位的方塊為讀出寄存器單元)，讀出寄存器與像敏單元的另一側被溝阻隔開。由于每列像敏單元均被讀出寄存器所隔 ，因此，這種面陣CCD稱為隔列轉移型CCD。圖中最下面是二相時鐘脈沖φ₁、φ₂驅動的水平讀出寄存器。

這種面陣CCD的工作過程如下：在光積分期間 ，光生電荷包存儲在像敏單元的勢阱里，轉移頂為低電位，轉移柵下的勢健將像敏單元的勢阱與讀出寄存器的變化勢阱隔開，當光積分時間結束，轉移柵上的電位由低變高 ，其下形成的勢阱將像敏單元的勢阱與此刻讀出寄存器某單元(此刻該單元上的電壓為高電平)的勢阱溝通 ，像敏單元中的光生電荷便經過轉移機轉移到讀出寄存器;轉移的過程為并行的，即各列光人敏單元的光生電荷同時轉移到對應的讀出寄存器中。轉移過程很快，轉移控制柵上的電位很快變為低電平。轉移過程結束后，光人敏單元與讀出寄存器又被隔開，轉移到讀出寄存器中的光生電荷在讀出脈沖的作用下一行行地向水平讀出寄存器中轉移，水平讀出寄存器快速地將其經輸出端輸出。在輸出端得到與光學圖像對應的一行行視頻信號。

圖12-10（b）是隔列轉移面陣CCD的二相注入勢壘器件的像敏單元的寄存器單元的結構。該結構采用兩層多晶硅。第一層提供像敏單元上的MOS電容器電極，又稱為多晶硅光控制極；第二層基本上是連續的多晶硅，選擇摻雜后得到二相轉移電極系統，稱為多晶硅寄存器柵極系統。轉移方向用離子注入勢壘造成，使電荷只能按照規定的方向轉移，溝阻常用來阻止電荷向外擴散。