根據轉移和讀出的結構方式不同，有不同類型的面陣攝像器件。這里僅以DL32型面陣CCD為例簡單介紹其結構、原理、驅動電路和特性。

DL32型面陣CCD為N型表面溝道、三相三層多晶硅電極、幀轉移型面陣器件，該器件主要由攝像區、存儲區、水平移位寄存器和輸出電路等四部分構成，如圖12 - 20所示。攝像區和存儲區均由256×320個三相CCD單元構成，水平移位寄存器由325個三相交大的CCD單元構成，其輸出電路由輸出柵OG、補償放大器和信號通道放大器構成。

攝像區和存儲區的CCD單元的結構尺寸如圖12-21所示，其溝道區長20μm，溝阻區長為4μm。在垂直方向上，它由三層交疊多晶硅電極構成，每層電極的寬度為8μm，一個CCD單元的垂直尺寸為24μm，可見某一電極光積分的有效光敏面積為8μm×20μm，光敏區總面積為7.7mm×6.1mm，對角線長度為9.82mm

 水平移動寄存器的CCD單元尺寸如圖12-22所示，水平方向長18μm，溝道寬度為36μm。每個電極處理電荷的實際區域為6μm×36μm。

 CCD輸出電路如圖12-23所示。該電路由一個雙柵（直流柵電壓URD和交流柵脈沖φR）復位場效應管和用作源極跟隨放大器的場效應管構成。復位管雙柵溝道長為30μm、寬為20μm。放大場效應管溝道長為10μm、寬為60μm。這兩個場效應管的跨導分別為180μs和600μs。